MBR60030CTL
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MBR60030CTL |
---|---|
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 300 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 30 V |
Technologie | Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 3 mA @ 30 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 300A |
MBR60030CTL Einzelheiten PDF [English] | MBR60030CTL PDF - EN.pdf |
DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER
IGBT Modules
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER
DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
IGBT Modules
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MBR60030CTLGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|